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1. 半导体pvd工艺流程？

1、半导体pvd工艺流程？

一、硅晶圆材料

　　晶圆是制作硅半导体 IC 所用之硅晶片，状似圆形，故称晶圆。材料是硅，芯片厂家用的硅晶片即为硅晶体，因为整片的硅晶片是单一完整的晶体，故又称为单晶体。但在整体固态晶体内，众多小晶体的方向不相，则为复晶体（或多晶体）。生成单晶体或多晶体与晶体生长时的温度，速率与杂质都有关系。

　　二、光学显影

　　光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为 黄光区。

　　三、蚀刻技术

　　蚀刻技术（EtchingTechnology）是将材料使用化学反应物理撞击作用而移除的技术。可以分为：湿蚀刻（wetetching）：湿蚀刻所使用的是化学溶液，在经过化学反应之后达到蚀刻的目的；干蚀刻（dryetching）：干蚀刻则是利用一种电浆蚀刻（plasmaetching）。电浆蚀刻中蚀刻的作用，可能是电浆中离子撞击晶片表面所产生的物理作用，或者是电浆中活性自由基（Radical）与晶片表面原子间的化学反应，甚至也可能是以上两者的复合作用。现在主要应用等离子体刻蚀技术。

　　四、CVD 化学气相沉积

　　化学气相沉积（CVD）是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。

　　五、物理气相沉积（PVD）

　　这主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。

　　六、离子植入（IonImplant）

　　离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透（植入）薄膜，到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密控制。基本上，此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶圆通过离子束之次数）来控制，而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。

　　七、化学机械研磨

　　晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻（Lithography）技术对晶圆表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越来越高，IBM 公司于 1985 年发展 CMOS 产品引入，并在 1990 年成功应用于 64MB 的 DRAM 生产中。1995 年以后，CMP 技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

　　八、光罩检测

　　光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。光罩必须是完美无缺，才能呈现完整的电路图像，否则不完整的图像会被复制到晶圆上。光罩检测机台则是结合影像扫描技术与先进的影像处理技术，捕捉图像上的缺失。

　　九、清洗技术

　　清洗技术在芯片制造中非常重要。清洗的目的是去除金属杂质、有机物污染、微尘与自然氧化物；降低表面粗糙度；因此几乎所有制程之前或后都需要清洗。份量约占所有制程步骤的 30％。

　　十、晶片切割

　　晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以 0．2 微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱摺与晶粒之相互碰撞。

　　十一、焊线

　　IC 构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（IntegratedCircuit；简称 IC），此制程的目的是为了製造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

　　十二、封膠

　　封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。

　　十三、剪切／成形

　　剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路版上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所组成。

　　十四、测试和检验

　　这些测试和检验就是保证封装好芯片的质量，保证其良率。

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